深紫外micro-LED的无掩膜光刻技术
来源: | 作者:国家第三代半导体技术创新中心(苏州) | 发布时间 :2025-02-23 | 16 次浏览: | 分享到:

国际首次提出,应用AlGaN深紫外micro-LED显示技术代替传统DMD,实现无掩膜光刻。

论文发表:

Feng, F., Liu, Y., Zhang, K. et al. High-power AlGaN deep-ultraviolet micro-light-emitting diode displays for maskless photolithography. Nat. Photon. 19, 101–108 (2025).