国家第三代半导体技术创新中心（苏州）【以下简称国创中心（苏州）】围绕落实国家科技创新重大任务部署，打造国家战略科技力量，以关键技术研发为核心使命，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，促进各类相关创新主体和创新要素有效协同、形成合力，集聚全国优势力量为第三代半导体产业提供创新源头技术供给，重点突破材料、器件、工艺和装备技术瓶颈，实现在电力电子、微波射频和光电子等领域的应用突破，输出高质量科技创新成果，辐射带动形成一批具有核心竞争力的创新企业，贯通创新链、技术链、人才链和产业链，培育发展新动能，加快我国第三代半导体产业创新能力整体跃升。国家第三代半导体技术创新中心（苏州）于2021年3月获科技部批复支持建设，江苏第三代半导体研究院为国创中心（苏州）的建设主体单位。

  国创中心（苏州）聘请郝跃院士担任中心主任，核心研发和运营团队近300人；获批建设国家级博士后科研工作站、江苏省创新联合体、江苏省人才攻关联合体；围绕国创中心建设使命，聚焦第三代半导体产业关键共性技术，通过协同共建，建设具有国际先进水平、开放共享的公共研发支撑平台，覆盖材料、工艺、器件、封装、模块、测试分析全产业链，逐步形成系统级全产业链支撑服务能力，为产业提供“全站式”创新服务，已累计合作服务全国200多家机构和企业。以市场化机制协同优势创新资源联合攻关，面向关键应用领域全国范围内合作共建37家联合研发中心、协同创新中心，在大尺寸氮化镓材料、全彩 Micro-LED、同质外延技术、可见光通讯（VLC）等关键技术取得重大突破，累计布局核心专利近400项，引进孵化创新团队超过50个，加速创新资源快速集聚，促进第三代半导体产业高质量创新发展。