高电压GaN HEMT的创新设计与研究——解锁1200V级高压应用新突破
通过混合外延生长技术制造的 6 kV GaN p-n二极管
用于光神经形态计算的 Micro LED：应用潜力与当前挑战
III族氮化物发光晶体管的设计与仿真
国创中心聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用需求，采用“揭榜挂帅”形式，集中力量开展关键核心技术攻关，加快推进核心技术自主化。【详细】
2025-07-04
党建聚力，芯链协同共进丨第三代半导体产业链主题党日活动成功举办
2025-07-14
人工智能与第三代半导体深度融合，这场研讨会为产业升级注入新动能！
2025-06-18
研发机构赋能丨国家第三代半导体技术创新中心（苏州）：技术创新赋能企业......
2025-05-29
国创中心（苏州）召开第二届专家技术委员会第三次会议暨国创中心（苏州）......
2025-04-18
半导体激光技术与产业高质量发展会议圆满召开！
2025-04-12
2024年度大事盘点 | 矢志不渝 笃行不怠
2025-01-21
联合研发中心41家，分布江苏、上海、北京、浙江 、福建、广东、湖南、湖北、陕西、山东、辽宁、吉林、重庆等地
