欧姆接触层的外延制备技术，将激光器的P型接触电阻降至10^-5Ω·cm²水平，提升了GaN基激光器的高光效。

成果发表：

J F Wang, J H Hu, C W Guan, S K Fang, Z C Wang, G B Wang, K Xu, T B Lv, X L Wang, J Y Shi, Z W Li, J W Zhang, N Chi, and C Shen, Low-resistance Ohmic contact for GaN-based laser diodes[J]. J. Semicond., 2024, 45(12), 122502.