电子如何“推动”晶体缺陷运动？氮化物半导体位错调控研究取得新进展
从材料到器件的“真空接力”：Micro-LED 侧壁修复取得新进展
超越周期性晶格的外延：基于缺陷态二维材料的界面调控
突破传统限制，新型GaN HEMT实现性能飞跃
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）第二届理事会第一次会议在苏州工业园区管委会顺利召开。【详细】
2026-08-21
方寸筑芯，逐梦星河 | 江苏第三代半导体研究院2027届校园招聘精彩......
2026-09-16
【校招行程】逐光踏芯程，启航向未来！2027校招进行中！
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2026 MOCVD暑期讲习班圆满收官：贯通全链条技术体系，共筑化合......
2026-08-06
第十九届全国MOCVD学术会议在呼和浩特召开！
联合研发中心41家，分布江苏、上海、北京、浙江 、福建、广东、湖南、湖北、陕西、山东、辽宁、吉林、重庆等地
