10月21日至22日，第三代半导体国家技术创新中心（苏州）【以下简称“国创中心（苏州）”】第二届专家技术委员会第五次会议暨十五五发展战略研讨会在苏州工业园区召开。来自全国高校、科研院所、领军企业及投资机构的五十余位专家代表齐聚一堂，面向“十五五”时期国创中心发展战略开展深入研讨、积极献策，共同为国创中心（苏州）下一阶段高质量发展凝聚共识、为第三代半导体产业创新突破注入新动能。会议由国创中心（苏州）专家技术委员会主任郝跃院士主持。

郝跃院士指出，放眼全球，第三代半导体正处在竞争格局深度调整与技术路线加速分化的关键阶段，国创中心（苏州）要牢牢把握国家战略科技力量的功能定位，从服务国家发展全局出发系统布局各项任务，为我国在第三代半导体领域实现高水平自立自强提供有力支撑。

苏州市科技服务中心主任汤宁在致辞中表示，在“十五五”规划开局起步的关键时期，各位专家与会一堂，共同探讨国创中心的发展战略，加快推进国家级第三代半导体技术创新平台建设，是落实科技自立自强战略、构建新型举国体制的重要实践，意义重大。

苏州工业园区科技创新委员会主任潘瑜在致辞中，感谢院士专家对国创中心（苏州）的长期支持。他指出，第三代半导体是全球技术创新和产业发展的热点，也是园区自2006年就前瞻布局、倾力投入的核心产业，期盼专家们的真知灼见为国创中心建设和园区第三代半导体产业发展带来更多智力支持和战略指引。

01

凝聚合力：系统复盘年度成效，精准锚定未来方向

会议伊始，徐科院长进行2026年工作汇报及2027年工作规划，报告系统回顾了平台建设、技术服务、创新研发、产业赋能、人才集聚、产业生态等方面的进展和成效，并对2027年重点工作计划进行了相关汇报。

随后，各平台与中心负责人依次作年度工作汇报，覆盖材料生长、器件工艺、测试分析与服役评价、精密加工、先进键合、AI与装备智能化及联合研发等环节。

会议还对《GaN功率器件关键技术及全球专利分析白皮书》编制进展进行汇报，该白皮书聚焦氮化镓功率器件赛道，系统梳理氮化镓功率器件的关键技术、国内外产业发展现状，深度解析核心技术全球专利布局态势以及专利技术路线，研判行业专利诉讼风险与竞争格局，从技术攻关、专利风险防控、布局策略等方面提出针对性发展建议，为氮化镓功率器件产业创新与知识产权战略制定提供支撑。

02

谋远定向：聚焦十五五发展路径，共谋高质量发展蓝图

专家研讨交流环节由杨德仁院士主持。杨德仁院士指出，专家技术委员会是国创中心（苏州）把握技术方向、校准发展路径的战略力量，研讨应立足国家战略需求与产业实际，为国创中心“十五五”规划提供真知灼见。

与会专家结合各平台年度工作汇报，围绕宽禁带半导体材料、高性能功率器件等重点方向的技术瓶颈、平台协同与项目产业化落地展开深入讨论，并就“十五五”期间的重点攻关方向、资源配置方式与运行机制提出意见建议。

03

前瞻研讨：七场报告聚焦前沿，众智汇聚共探未来

10月22日上午，专题报告环节围绕第三代半导体功率电子器件、关键材料设计与智能研发、同质外延与材料制备、基础物理表征与缺陷机制、micro-LED新型显示等方向展开交流，系统呈现了从基础研究到产业应用的最新进展。

中国科学技术大学教授杨树作《面向宽温域与强辐照应用的GaN功率电子器件》报告，从极端工况应用需求出发，分析了GaN功率电子器件在宽温域与强辐照环境下面临的关键挑战，探讨了材料与器件结构设计应对极端条件的可行路径，为功率电子器件向航空航天、核工业等特殊场景拓展提供了思路。

深圳大学教授刘新科以《基于氮化镓单晶材料的新型功率器件》为题，围绕氮化镓单晶材料的特性优势，分析了从材料优势向器件性能转化的关键环节，探讨了新型功率器件技术路线的多元化发展方向。

吉林大学张立军教授团队作《面向半导体产业链的关键材料设计与智能研发》报告，从产业链自主可控的宏观视角阐述了关键材料设计的基础性地位，并探讨了智能研发范式对材料开发效率与精准度的提升作用，为材料研发模式转型升级提供了方向性思考。

西安电子科技大学教授薛军帅以《氮化镓电子器件材料分子束同质外延研究》为题，聚焦同质外延这一关键材料制备环节，分析了分子束外延技术在同质外延中的独特优势与研究进展，探讨了外延质量对器件性能的影响机制。

北京大学电子显微镜实验室高级工程师王涛作《氮化物半导体中动量空间关联的结构与谱学研究》报告，从基础物理表征角度探讨了氮化物半导体中动量空间关联的结构特征与谱学表现，为理解材料微观结构与宏观性能之间的关联提供了新的研究视角。

中国科学院苏州纳米所厉志乔博士以《氮化物中费米能级驱动的位错运动机制研究》为题，聚焦影响器件可靠性的位错运动问题，揭示了费米能级调控对位错行为的驱动机制，为从缺陷控制层面提升材料与器件稳定性提供了理论基础。

江苏第三代半导体研究院王国斌博士作《氮化镓同质外延micro-LED技术》报告，围绕同质外延在micro-LED领域的应用展开分析，探讨了该技术路线对micro-LED性能提升的支撑作用及其在新型显示领域的发展前景。

会议总结

本次会议是对国创中心（苏州）年度工作的系统回顾，以此次会议形成的共识为基础，下一步，国创中心（苏州）将认真梳理各位专家的意见建议，紧扣国家重大战略需求和地方产业发展实际，聚焦第三代半导体产业关键共性技术，提升公共技术服务平台能级与开放水平，深化“产学研用金”协同，加强与各高校院所、产业界的协同联动，加快构建“基础研究—技术攻关—产业转化”的创新生态，推动创新成果加快落地，支撑我国在关键核心技术领域实现自主可控与高水平自立自强。