10月21日，在第十六届国际纳米技术产业博览会开幕式上，第三代半导体国家技术创新中心（苏州）【以下简称“国创中心（苏州）”】发布了五项重要研发成果，由国创中心（苏州）主任郝跃院士发布讲解。

面向高速光通信、AI芯片散热、功率器件、Micro-LED显示等关键应用领域，发布了6英寸 GaN 基晶圆级芯片成套标准化工艺、多晶金刚石/硅的室温异质键合技术、碳化硅激光切割关键技术与工艺、Micro-LED的侧壁修复与钝化技术和氮化物半导体中的位错运动新机制等五项研发成果，系统展示了国创中心（苏州）在平台技术能力建设、关键技术攻关、前沿技术研究等方面的重要突破和创新。

目前，国创中心（苏州）已建成以化合物半导体为核心的特色公共服务平台，支撑概念验证、工艺验证和国产装备验证，是国内首个具备从6英寸氮化镓单晶材料生长、同质外延生长到器件工艺和测试分析能力的研发平台，覆盖micro-LED、HEMT等光电子与功率电子领域，服务用户500余家。国创中心（苏州）平台将进一步助力提升我国第三代半导体产业创新能力，加快成果从样品走向产品的转化落地，为企业的技术迭代与产品开发提供有力支撑。

从材料生长到器件工艺，从测试分析到装备国产化，从基础研究到产业化落地——国创中心（苏州）发布的五大成果，串联起的正是第三代半导体从“实验室”走向“生产线”、从“单点突破”迈向“全链贯通”的完整创新链条。面向国家战略需求，国创中心（苏州）正以科技创新赋能产业高质量发展，加快创新优势转化为产业动能，为中国半导体产业自立自强贡献坚实力量。