4英寸边缘无裂纹的高质量AlN生长技术，位错密度低至1.1E175px^-2，为高效率的深紫外和高压高功率器件奠定了基础。

成果发表：

Yao L, Xu Y, Wang Y, et al. 4 inch 11 μm high-quality AlN thick films grown on nanopatterned sapphire substrates[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 2024, 63(11): 115501.