极低位错密度、低效率衰减的micro-LED技术
来源: | 作者:国家第三代半导体技术创新中心(苏州) | 发布时间 :2025-02-23 | 27 次浏览: | 分享到:

制造的相关器件和AR/MR显示模组,实现了优越的单色性和波长稳定性,并在高电流密度下表现出优越的发光特性。

成果发表:

Liu, Y., Wang, G., Feng, F. et al. Ultra-low-defect homoepitaxial micro-LEDs with enhanced efficiency and monochromaticity for high-PPI AR/MR displays. PhotoniX 5, 23 (2024).