7月12日上午，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）（简称国创中心（苏州））召开全体会议，向到苏的国创中心（苏州）主任、中国科学院院士郝跃专题汇报中心建设进展情况。

国创中心（苏州）副主任徐科就联合实验室建设、科研队伍建设、先进工艺研发等重点工作建设成果，科技成果转移转化，产业生态发展，以及下一届理事会筹备工作等一一向郝跃主任做了详细汇报。

郝跃主任充分肯定了国创中心（苏州）过去一年在技术攻关、平台建设、人才引育等方面的一系列举措及所取得的关键技术突破和项目研发成果。郝跃主任从核心材料与器件关键技术研发、关键装备研发、创新突破等方面进一步对中心建设提出了详细的规划和布局指示，希望全体成员积极奋进，紧靠未来产业，聚力攻坚，切实解决产业重大问题，解决国家发展痛点。郝跃主任强调国创中心（苏州）：一要明确角色定位，充分发挥平台作用优势，争取更多创新资源要素集聚；二要锚定国家“卡脖子”技术问题，面向国家重大战略需求，聚焦第三代半导体关键核心技术和应用方向，加快科技成果产出和转移转化；三要强化开放共享的创新平台能力建设，提升对产业的支撑服务能力和系统创新能力。在坚持“不与高校争学术之名、不与企业争产品之利”的前提下，探索实践自循环，实现高质量可持续创新发展。

全体与会人员表示要始终围绕国创中心定位、使命，结合会议精神，进一步聚焦核心工作，加快核心关键技术创新与突破，加快关键领域科技成果转移转化，促进第三代半导体产业的集聚创新发展，蓄势赋能新质生产力。