国家第三代半导体技术创新中心（苏州）在近日举办的苏州工业园区全球引才大会暨第十六届苏州国际精英创业周活动现场，围绕当前半导体产业发展的热点和难点接连发布了万伏级高质量高少子寿命碳化硅外延装备及超厚外延生长技术开发、高功率、长寿命氮化镓基蓝光激光器及显示应用技术开发、氮化铝基深紫外LED技术等多项关键核心技术需求，面向全球“揭榜挂帅”。

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）围绕落实国家科技创新重大任务部署，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，加速技术攻关，今年在6英寸氮化镓单晶、6英寸碳化硅基氮化镓、8英寸硅基氮化镓材料制备方面取得重要突破。

本次通过上海技术交易所官网正式发布的11项关键核心技术需求，每一项都极具挑战性和前瞻性，旨在通过市场化机制协同创新要素与国际人才资源，共同攻坚克难，突破产业发展的瓶颈技术，加快第三代半导体产业的技术创新和产业升级，提升国家战略科技力量。