我们在奋斗中辞别2024年，在挑战中迎接2025年。
当前，世界正经历百年未有之大变局，我国正处于实现中华民族伟大复兴的关键时期，强化科技创新成为驱动经济发展、塑造竞争优势的重要战略选择。
中共中央指出——“加快促进科技成果转化应用，推动科技创新和产业创新深度融合。”国家第三代半导体技术创新中心（苏州）牢记使命，以加快实现高水平科技自立自强为己任，2024年加快建设公共研发平台，协同攻关关键核心技术，持续加强人才队伍建设，扩大协同创新网络，打造良好产业生态，以科技创新引领新质生产力，推动第三代半导体产业高质量创新发展。
（一）夯实公共研发平台，支撑关键技术创新突破
聚焦“1到100”产业共性关键技术，公共研发平台建设迈上新台阶，强化了创新链、产业链、资金链、人才链的融合贯通能力，提升了助力企业、高校院所的研发效率，更好服务于赋能产业高质量创新发展。材料生长创新平台面向新型显示、电力电子、微波射频、 深紫外等应用领域，在Micro-LED、可见光通讯(VLC) 应用领域获得了一系列创新突破，为第三代半导体重点应用领域的关键技术突破指明了方向。测试分析与服役评价平台在全产业链服务能力与认证评价能力上得到进一步提升，发展了晶体缺陷的晶圆级无损检测等多项关键测试技术，材料、器件等结构分析优势进一步得到完善，显著提升了对产业界的系统支撑服务能力。器件工艺平台汇聚国内优势资源，围绕产业链关键环节联合共建关键工艺技术公共验证平台，攻克 UV-LED、Micro-LED、HEMT和MOSHFET等宽禁带半导体芯片核心工艺技术，向第三代半导体器件工艺装备国产化、量产化、标准化又迈出一大步。
（二）强化关键技术攻关，助力高水平科技自立自强
组织超过35家单位共同承担科技部、江苏省等各重点科技攻关项目累计20余项。协同全国优势资源，面向新型显示、电力电子、微波射频、环境与健康等领域，加快产业链关键核心技术攻关，在大尺寸氮化镓材料、全彩Micro-LED、氮化镓同质外延技术、可见光通讯（VLC）等领域取得系列重大突破，已累计布局核心专利400余项。
（三）打造高端人才团队，为技术创新提供源动力
国创中心（苏州）第二届专家技术委员会成功换届，由郝跃院士领衔，70位成员覆盖了第三代半导体光电子、功率电子、材料与装备以及投资界代表。以重大项目和联合研发为抓手，通过全职及双聘形式，引进国内外创新创业团队近50个，其中超过35家设立企业并获得苏州市、苏州工业园区领军称号。目前拥有国家高层次人才、江苏省333高层次人才、姑苏创新领军、园区创新领军、园区创业领军人才等称号的核心运营和研发团队超300人。获批国家博士后科研工作站、江苏省创新联合体、江苏省人才攻关联合体，人才引进、培育的能力和能级得到大幅度提升。
（四）持续深化可持续发展的建设方案，推动产学研深度融合
深入探索”3+M+N“平台运营建设和网络协同发展机制，着力打造”M“个有特色研发中心，开展”N“个有重大产业前景的研发项目，助力提升“3”个公共平台的产业地位。2024年新增“先进半导体晶圆加工技术研发中心”，“半导体晶圆级异质键合与集成中心”。面向第三代半导体未来应用的八大方向，发布激光显示、高端装备等细分领域11项关键核心技术需求，向全球“揭榜挂帅”。聚焦衬底外延、新型显示、电力电子、微波射频、光电等领域，与国内优势企业、高校院所合作共建超过40家联合研发中心；20多家半导体装备龙头企业入驻，合作引进超过50台套关键装备，在氮化物半导体光电子器件和功率电子器件工艺实现全面通线，并在多项工艺技术上取得重大突破，国创中心的平台服务能力迈上新台阶。
（五）助力营造产业生态，促进产业集聚与高质量发展
主办或承办2024年上市公司开放日----新型显示战略研讨会—Micro-LED专场活动、2024年发展战略研讨会暨第二届专家技术委员会会议、揭榜挂帅专家论证会、第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届半导体照明论坛等多个专业品牌大会。全年独立或联合参与展会展览14场次。参与金鸡湖青年人才创新创业大赛（国创中心专场）、”金鸡归巢“纳米技术应用专场产学研金合作对接暨助力未来人才成长等赛事活动。成立的荷塘基金----国创中心专项基金，已投项目达到7个。为前沿技术展示、产学研深度交流搭台布局、为产业融合创新发展贡献力量。
岁序更迭，初心不改
2025年是“十四五”规划收官之年，是推进科技强国建设重要一年。
我们，凝心聚力，奋发有为，共赴2025。
2024年度大事记
2月19日
苏州工业园区党工委副书记、管委会主任吴宏专门听取一区两中心工作汇报
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）副主任徐科就中心平台建设目标、发展历程、平台建设进展、发展规划等做专题汇报。
2月20日
吴庆文主持召开集成电路产业链工作推进会
苏州市委副书记、市长吴庆文主持召开集成电路产业链工作推进会，分析研判当前产业发展形势，谋划推进集成电路产业链高质量发展。国家第三代半导体创中心（苏州）副主任徐科参加会议，并作为创新平台代表之一发言。
3月30日
举办首场上市公司开放日——新型显示战略研讨会Micro-LED专场
邀请产业链、创新链、供应链及金融机构的专家和代表，分享在Micro-LED技术研发、生产、应用等方面的最新成果和经验。从行业生态出发，协调产业链各环节共同探索Micro-LED产业生态和关键技术的未来发展趋势。
4月11日
江苏省重大设施预研项目顺利验收
江苏省创新能力建设计划（研发机构）—第三代半导体创新中心，完成合同规定的目标任务，经江苏省科技厅组织的验收专家组审核同意验收。标志着研究院在创新平台、人才团队、组织机制等能力建设方面取得阶段性成果，并在关键技术攻关、协同网络创新等方面获得显著的提升。
4月15日
Micro-LED显示与通信融合应用关键技术研发取得突破性进展
低功耗、高光效同质Micro-LED材料位错密度下降3个数量级；大幅提升Micro-LED发光均匀性，在小电流注入下的光效增加87%，为解决当前Micro-LED面向新型显示应用的产业难题提供了进一步技术研发方向。
5月13日
刘小涛书记专题调研科研平台，国创中心（苏州）做专门汇报
刘小涛书记专题调研科研平台并主持召开调研座谈会，国创中心（苏州）副主任徐科就中心平台建设、进展、发展建议等做《建设六链融合创新研发大平台，推动第三代半导体技术赋能新质生产力》专题汇报。
5月21日
获批国家级博士后科研工作站
经人社部和全国博士后管理委员会审核批准，获批设立国家级博士后科研工作站，国创中心（苏州）在高层次人才培养和科研平台建设方面取得又一新突破。
6月5日
“姑苏顶尖人才团队”（郝跃院士团队）通过中期验收
2021年度“姑苏顶尖人才团队”（郝跃院士团队）通过中期验收。项目实施期间承担省级、国家级科技项目7个、引进高层次人才10人，多项关键技术取得阶段性突破，新增申请专利58项，其中发明专利52项。
6月18日
自研第三代半导体SIMS标准样品突破100种元素
测试分析与服役评价平台自主研制开发GaN、SiC、AlN、GaAs、InP、Si、SiO2、Al2O3、LiNbO3、金刚石、Ga2O3等十余种材料超过100种元素的SIMS标准样品，其中解决了SIMS定量检测的需求围绕宽禁带半导体材料超低含量杂质元素检测需求。
7月11日
发布11项关键核心技术需求，面向全球“揭榜挂帅”
围绕当前半导体产业发展的热点和难点，借助苏州工业园区全球引才大会暨第十六届苏州国际精英创业周活动，发布11项关键核心技术需求，面向全球“揭榜挂帅”。旨在通过市场化机制协同创新要素与国际人才资源，共同攻坚克难，突破产业发展关键技术瓶颈。
7月15日
同质Micro-LED可见光通信技术刷新两项世界纪录
材料生长创新平台开发出高性能氮化镓同质 micro-LED 外延片，与复旦大学合作，刷新micro-LED可见光通信应用的最高带宽频率和单颗器件最高数据传输速率两项世界记录（2024.07），拓展了Micro-LED未来新的应用市场。
8月16日
召开国创中心（苏州）第一届理事会第二次会议
由园区相关领导、业内顶尖专家、共建单位负责人等组成的国创中心第一届理事会在园区召开二次会议，充分肯定国创中心（苏州）过去建设发展取得的系列成绩，围绕国创中心（苏州）下一步发展提出针对性、指导性意见建议。
8月15至16日
国创中心（苏州）2024年发展战略研讨会由郝跃院士主持在苏州举行
大会推选并成立郝跃院士领衔、70位半导体领域顶尖专家、企业家组成的第二届专家技术委员会。会议围绕国创中心（苏州）建设、运营，关键技术攻关，与企业、高校、科研院所合作机制等问题，共同交流探讨第三代半导体产业技术发展的新动能、新态势，为培育新质生产力、促进第三代半导体高质量发展出谋划策、贡献力量。
9月3日
联合研发中心在超高性能同质外延Micro-LED取得新突破
国创中心（苏州）王国斌博士团队与南方科技大学刘召军教授团队合作，在“超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心”支持下，超高性能同质外延Micro-LED取得新突破，相关研发成果发表于2024年9月《PhotoniX》。
9月12日
荔枝新闻走进国家第三代半导体技术创新中心（苏州）
荔枝新闻就“国家技术创新中心在打造新质生产力的重要增长极、塑造发展新动能新优势中的探索与实践”走进国家第三代半导体技术创新中心（苏州）开展专访。相关平台负责人从推动产学研深度融合、加强关键技术攻关、加速重大科技成果转移转化，完善科技创新体制机制、因地制宜发展新质生产力等做相关介绍。
9月14日
首台量产型半导体外延装备进驻材料创新平台
国创中心（苏州）引进首台量产型半导体外延装备，材料生长创新平台完成了5台套外延装备建设，实现III族氮化物材料体系内研发和中试能力的全覆盖，标志着材料生长创新平台的能力建设跃上新台阶。
10月23日
郝跃院士发布十大科学技术问题和三项最新关键性突破成果
郝跃院士在第十四届中国国际纳米技术产业博览会上发布国创中心（苏州）十大科学技术问题和三项最新关键突破性成果。未来，这些创新成果将助力提升我国第三代半导体产业创新能力，成为打造新质生产力的重要增长极。
10月23日
召开“揭榜挂帅”项目指南专家论证会暨第二届专家技术委员会第二次会议
国创中心（苏州）第二届专家技术委员会主任郝跃院士在苏主持召开揭榜挂帅”项目指南专家论证会暨第二届专家技术委员会第二次会议。与会专家围绕国家重大发展战略和第三代半导体产业发展需求，对国创中心“揭榜挂帅指南”展开讨论并提出针对性、建设性意见建议。
11月11日
获2024年江苏省科技重大专项支持
由国家第三代半导体技术创新中心（苏州）牵头，英诺赛科(苏州)半导体有限公司、苏州晶湛半导体有限公司、北京大学、中国科技大学、中山大学等10家单位参加的《GaN高压功率集成材料及器件研发》获得江苏省科技重大专项项目支持。这是江苏省科技厅聚焦打造具有全球影响力的产业科技创新中心，加快前瞻布局，推动科技创新和产业创新深度融合的重大举措。国创中心（苏州）将联合企业加快重大技术攻关，推动国内第三代半导体技术加速走向国际市场。
11月19日
参与编制 SiC MOSFET测试与可靠性标准
第三代半导体产业技术创新战略联盟在第十届国际第三代半导体论坛开幕式发布9项关于SiC MOSFET测试与可靠性的标准。国创中心（苏州）参与编制了“SiC MOSFET阈值电压测试方法”、“SiC MOSFET动态栅偏试验方法”等8项关键标准，充分体现平台的专业技术能力。
11月21日
商务部：推动国家第三代半导体技术创新中心（苏州）等平台高质量发展
商务部印发《支持苏州工业园区深化开放创新综合试验的若干措施》，其中提到，布局建设重大创新平台。推动国家第三代半导体技术创新中心（苏州）等先进技术平台高质量发展。在商务部等相关部门的支持下，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）将继续发挥自身优势，加强技术创新和产业合作，推动我国第三代半导体产业的高质量发展。
12月6日
大尺寸碳化硅晶体加工联合实验室建设取得重大进展
联合苏州博宏源共建实验室，碳化硅晶体加工联合实验室取得重大进展。8英寸SiC晶体先进加工工艺线设备（价值3000万）进场安装调试，项目将开展定制化SiC晶体先进加工技术研发，提升国产装备的竞争力和市场占有率，未来将进一步开展氮化铝、金刚石、氧化镓等其它第三代半导体材料的晶圆加工技术研发和服务，助力我国第三代半导体衬底材料整体行业加工能力的提升。
12月22日
器件工艺平台刻蚀和薄膜中心服务能力提档升级
国创中心（苏州）与万业企业旗下嘉芯半导体共建的CVD和PVD镀膜工艺联合实验室完成装备的安装与调试，正式开展国产装备工艺验证。双方将围绕第三代半导体器件工艺客户的产业研发需求，联合攻坚关键工艺节点核心技术问题，推动第三代半导体芯片制程量产关键设备国产化、标准化建设，开启第三代半导体产业自主可控发展“芯”征程。
