区别于传统掩膜材料，创新性的使用二维材料（石墨烯），将异质外延材料的位错密度降低至1.1E175px-2的同时，实现了可自剥离，为大面积单晶材料的生长提供了新途径。

论文发表：

Li J , Xu Y , Tao J ,et al.Study on Nucleation and Growth Mode of GaN on Patterned Graphene by Epitaxial Lateral Overgrowth[J].Crystal growth & design, 2023(8):23