8月16日，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）【简称“国创中心（苏州）”】2024年发展战略研讨会暨第二届专家技术委员会会议在苏州工业园区顺利召开！

       此次会议汇集来自全国各地的近80余位半导体领域顶尖专家、企业家，共同交流探讨第三代半导体产业技术发展的新动能、新态势，为培育新质生产力、促进第三代半导体高质量发展出谋划策、贡献力量。

       中国科学院院士、国创中心（苏州）主任郝跃、中国科学院院士江风益、中国工程院院士欧阳晓平、国家自然科学基金委信息科学学部原副主任何杰、苏州工业园区管委会副主任倪乾、苏州工业园区科创委主任潘瑜等出席会议。会议由江苏第三代半导体研究院院长徐科、苏州纳米科技发展有限公司党委书记、董事长张淑梅共同主持。

会议致辞

       中国科学院院士、国创中心（苏州）主任郝跃院士致辞

他说，当前，以习近平同志为核心的党中央把科技创新摆在国家发展全局的核心位置，江苏省也在认真学习贯彻习近平总书记视察江苏时的重要讲话精神，加快推进创新驱动发展战略，不断提高科技成果转化和产业化水平，建设科技创新强省。国创中心（苏州）自 2021 年 4 月在苏州揭牌建设以来，已逾三载，在科技部和省、市、园区相关部门的关怀指导下，在高校科研院所与企业等多方专家、技术人员的协同推动下，在运行体制机制上努力探索和创新，与产业界合作共建，大力开展战略性研究，引进培育战略性人才，协同推进第三代半导体产业发展，取得了很多新进展、新成效。对各位专家、产业界朋友长期以来的关心和支持表示衷心感谢和崇高敬意！

       他说，科技创新是一项复杂的全局性、系统性工程。国创中心（苏州）树立“一盘棋”思想，通过设置联合研发中心和联合实验室，把高校及科研院所、企业的智慧和力量汇聚起来，共做创新的参与者和贡献者，营造科技创新良好生态，为加快推动第三代半导体技术创新与产业高质量发展，为打造具有全球影响力的产业科技创新中心作出积极贡献。

他说，在深刻领会习近平总书记“中国式现代化关键在科技现代化”的重要论述的基础上，国创中心（苏州）把科技创新、产业发展作为实现弯道超车的战略之举来抓，重点从以下几点进行发力：一是突出产业需求导向，在重点领域进行科技创新。二是提升平台服务能力，打造创新集聚载体。三是注重人才引领，提供创新发展支撑。四是强化成果应用，推动产业发展。

       国创中心（苏州）希望与园区政府、行业专家、业界同行开展紧密合作，加强原创技术供给，推动跨学科、跨领域协同创新，科技和产业深度融合，开放合作和自主创新相辅相成，共同构筑自主创新的“核心圈”和产业发展的“朋友圈”。

        苏州工业园区管委会副主任倪乾致辞

他说，第三代半导体是全球半导体技术创新和产业发展的热点，也是推动5G、新能源等战略性新兴产业发展的关键基础。苏州工业园区自2006年起就布局发展第三代半导体产业，经过近20年培育已形成了完整产业链，苏州工业园区在“第三代半导体最具竞争力产业园区”中位列榜首。

       他说，国创中心（苏州）自成立以来，在各位专家的关心指导和各方的共同努力下，面向产业发展需求开展关键核心技术攻关，推动科技成果转化和创新型企业孵化，与高校院所、科技企业设立了联合研发中心35个，成功落地产业化项目50余项，公共技术平台服务企业及科研院所超200家，已吸引30余位国内外高层次领军人才创新创业，形成规模超300人的核心科研团队，在服务国家高水平科技自立自强的同时，为提升园区第三代半导体产业创新能力提供了关键支撑。

       他说，热切期盼各位院士专家、企业家能够留下真知灼见，为国创中心的建设发展带来更多智力支持和战略指引；真诚期待，以本次会议为契机，与各位开展更深层次的产业合作、项目合作，携手推动开放创新的世界一流高科技园区建设！

       他表示，园区将继续全力支持国创中心高水平运行，推动科技创新和产业创新深度融合，充分发挥国家战略科技力量的引领示范作用，为国家解决重大战略需求和产业发展需求作出积极贡献。

联合共建授牌

为推进国创中心（苏州）与行业内优势单位构建深度长效产学研合作，加快关键核心技术创新和科技成果转化，国创中心（苏州）与国内35家单位设立联合研发中心，布局从核心材料、关键技术、集成应用的协同攻关。

会议对16家联合研发共建单位进行授牌。他们分别是大尺寸高质量单晶金刚石材料联合研发中心、氮化物全光谱集成EPLED技术联合研发中心、氮化镓基激光芯片技术联合研发中心、半导体微纳结构光场调控联合研发中心、Micro-LED阵列无掩模光刻技术联合研发中心、氮化镓垂直结构外延技术联合研发中心、高功率半导体激光器高可靠性联合研发中心、碳化硅超厚外延技术联合研发中心、显微检测分析技术联合实验室、ALD镀膜工艺验证开发联合实验室、PVD镀膜工艺验证开发联合实验室、CVD镀膜工艺验证开发联合实验室、单片湿法清洗技术联合实验室、碳化硅外延工艺验证开发联合实验室、原子层刻蚀工艺验证开发联合实验室、大尺寸碳化硅晶体加工联合实验室。这一举措标志着国创中心（苏州）将与业界进一步深化合作，为未来的技术攻关提供强大动力。

项目合作签约

为进一步促进产学研用深度融合的技术创新体系建设，国创中心（苏州）面向国产装备验证、氮化镓功率器件、先进异质集成技术、激光器芯片技术等领域分别与上海万业企业股份有限公司、苏州汇川技术有限公司、梁剑波教授、苏州蛟视科技有限公司4家单位和科研团队开展项目签约合作。国创中心（苏州）将与签约单位和团队携手并进、协同攻关，做大做强我国第三代半导体产业。

揭榜挂帅指南发布

国创中心（苏州）聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用需求，围绕落实国家科技创新重大任务部署，面向全球发布“揭榜挂帅”项目19项。国创中心（苏州）主任郝跃院士在大会代表发布“揭榜挂帅”项目指南。

揭榜挂帅旨在以技术真需求为合作切入点，让出题企业自主遴选合作伙伴，从产业发展回溯基础研究，实现从1到0的反思型技术攻关。面向业界相关企业张榜求贤，引进高层次人才及创新团队，攻克关键共性技术、转移转化重大成果、培养优秀人才团队，助推第三代半导体产业提档升级。

国创中心（苏州）第二届专家技术委员会聘任

大会聘任了新一届专家技术委员。第二届专家技术委员会总计70人，由国创中心（苏州）郝跃院士任主任，江风益院士、欧阳晓平院士、何杰担任副主任。委员会共分为战略咨询专家组、光电子领域专家组、功率电子器件及应用专家组、第三代半导体材料与高端装备专家组四个小组。

专家研讨会

在专家研讨环节，国创中心（苏州）副主任、江苏第三代半导体研究院院长徐科向与会嘉宾报告了国创中心（苏州）平台建设进展和关键技术攻关，展示了国创中心（苏州）在科技创新和产业合作各方面取得的丰硕成果，并展望了未来的发展目标。徐科表示，在各级政府和专家的指导下，国创中心（苏州）必将在推动第三代半导体技术创新中发挥更加重要的作用。

接着，与会专家围绕国创中心（苏州）建设、运营，关键技术攻关，与企业、高校、科研院所合作机制等问题，展开热烈深入讨论。与会专家纷纷抛出真知灼见，出谋划策，共绘国创中心（苏州）美好未来。

结语