今天，随着建筑工程施工许可证的领取，国家第三代半导体技术创新中心9个工作日即取得用地规划许可证、不动产权证、建设工程规划许可证、审图合格证等5证，成为今年园区第8个“拿地即开工”项目，标志着桑田科学岛建设正式拉开序幕。

习近平总书记在江苏考察时指出，高科技园区在科技自立自强中承担着重大而光荣的历史使命。定位为“世界级科学岛”，致力打造未来科技创新策源地、国际合作引领区、未来城市示范岛的桑田科学岛正是园区牢记习近平总书记殷殷嘱托，奋力推动苏州在科技创新道路上走在前、做示范的又一生动实践。

作为桑田科学岛的首个项目，国家第三代半导体技术创新中心占地面积5.15公顷总建筑面积，超过20万平方米，容积率3.77。项目与东侧国家生物药技术创新中心和北侧苏州实验室形成桑田科学岛“十字双轴”核心节点。地块内塔楼由四个完全相同的矩形体块通过旋转组合模拟芯片处理器，提炼“激光衍射光栅”的独特工艺，形成具有第三代半导体特有的科技气息、国家级创新总部的建筑形象。

厂房立面汲取纳米城原有立面元素，局部悬挑与架空，同时纵横向多层次划分削减体量，形成艺术感强烈的构成化造型，呈现极具科技感的未来城市形象。

为加快推进该项目，园区行政审批局秉持主动、靠前、创新服务理念，多次与设计院、业主围绕北侧苏州实验室方案进行优化，牵头组织项目协调沟通会，梳理拿地即开工流程，并针对业主采用EPC总包的新需求，协调各部门环节时序，倒排时间表。同时，通过“容缺受理”“并联审批”等创新举措，确保项目如期取得施工证，推动项目建设跑出“加速度”。

       国家第三代半导体技术创新中心（简称：国创中心）自批复建设以来，在江苏省、苏州市、工业园区各级部门的关心指导和大力支持下，各项空间载体正加速推进建设。国创中心企业总部建筑面积9.7万平米，预计今年年底竣工，研发和产业化基地建筑面积11.7万平米，2024年5月竣工；第三代半导体产业园2号厂房国创中心材料生长创新平台、器件工艺平台装修改造已完成，正在开展二次配和设备入驻。本次获得建筑工程施工许可证的国家第三代半导体技术创新中心总部大楼建设项目实现拿地即开工，预计2025年12月竣工。

       下一步，国创中心将紧密围绕核心建设任务，协同创新资源继续加快推进重大创新平台建设，聚焦关键共性技术研发，加速成果转化，加强并支撑国家级重大创新平台建设，加快建成第三代半导体材料、器件、关键共性技术和产业前瞻技术的集成创新中心，建成以企业为主体、市场为导向、产学研金深度融合的创新体系和产业创新生态，成为国家在第三代半导体领域的中坚力量，引进培育一批企业在苏集群发展，建成第三代半导体产业创新可持续发展生态，促进区域创新发展，为推进以高水平科技自立自强支撑引领高质量发展贡献力量。