近年来，苏州工业园区聚焦国家战略需要，全力构建产业创新生态。新年伊始，苏州工业园区起跑即冲刺，紧抓项目建设“一号任务”，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地正式开工建设，不断激发科技创新“第一动力”。

该基地位于苏州纳米城，由苏州纳米科技发展有限公司建设。项目总投资超18亿元，带动投资预计超50亿元，计划2023年12月底竣工，建成后将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、中试、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，进一步巩固园区第三代半导体领域的产业地位。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地是苏州工业园区打造第三代半导体创新高地、产业集群的重大基础设施。项目首期占地105亩，总建筑面积超过20万平方米，包括国家第三代半导体技术创新中心，以及东微半导体总部、汉天下研发中心和镭明激光研发中心总部等部分定建企业。

该基地将布局建设支撑第三代半导体创新发展的3万平方米高标准洁净厂房和化学品库、废水处理站、110千伏电站等配套设施，以及8英寸BAW（体声波）滤波器及射频模组生产线，半导体高端激光研究中心，晶圆与器件性能测试研发工程中心等。未来将辐射集聚50至100家企业，有力支撑第三代半导体关键技术攻关和科技成果转化。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地的建设将为第三代半导体专业行业的发展提供基础设施的支撑，同时专业的平台和服务，也将为人才汇聚发挥更加积极的作用。

（来源：新闻联播、苏州纳米城、苏州工业园区发布等媒体 ）