突破传统限制，新型GaN HEMT实现性能飞跃
金刚石与半导体的“联姻”：开启高功率电子设备散热新篇章
高电压GaN HEMT的创新设计与研究——解锁1200V级高压应用新突破
通过混合外延生长技术制造的 6 kV GaN p-n二极管
12月29日，《新华日报》整版刊发文章，聚焦第三代半导体。【详细】
2025-12-31
千亿“芯”集群，澎湃新动能 |《新华日报》聚焦第三代半导体，锻造产业......
“材料-器件-系统论坛”在苏州举办，聚焦宽禁带半导体发展
2025-12-17
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2025-11-27
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2025-11-22
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2025-10-28
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）第一届理事会第三次会议顺利召开
2025-10-27
联合研发中心41家，分布江苏、上海、北京、浙江 、福建、广东、湖南、湖北、陕西、山东、辽宁、吉林、重庆等地
