突破传统限制，新型GaN HEMT实现性能飞跃
金刚石与半导体的“联姻”：开启高功率电子设备散热新篇章
高电压GaN HEMT的创新设计与研究——解锁1200V级高压应用新突破
通过混合外延生长技术制造的 6 kV GaN p-n二极管
2025年12月12-13日，由南京大学集成电路学院、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合主办的“2025材料-器件-系统论坛”在苏州成功举办。【详细】
2025-12-17
江苏第三代半导体研究院积极参与国家标准制定 |《半导体单晶材料透过率......
2025-11-27
产教协同聚力，共筑人才高地 | 复旦大学与江苏第三代半导体研究院共建......
2025-11-22
激光隐形切割SiC晶锭效率大幅提升！国创中心（苏州）大尺寸碳化硅激光......
2025-10-28
国家第三代半导体技术创新中心（苏州）第一届理事会第三次会议顺利召开
2025-10-27
【会议详细日程出炉】2025半导体异质集成与先进封装技术论坛日程正式......
2025-10-15
10月22日：2025异质集成论坛即将盛大开幕丨四大技术前沿重磅来袭......
2025-10-11
联合研发中心41家，分布江苏、上海、北京、浙江 、福建、广东、湖南、湖北、陕西、山东、辽宁、吉林、重庆等地
