突破传统限制，新型GaN HEMT实现性能飞跃
金刚石与半导体的“联姻”：开启高功率电子设备散热新篇章
高电压GaN HEMT的创新设计与研究——解锁1200V级高压应用新突破
通过混合外延生长技术制造的 6 kV GaN p-n二极管
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2026-02-28
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2026-01-30
江苏第三代半导体研究院招聘启事
2026-01-21
关于2025年度“揭榜挂帅”拟立项项目公示的通知
2026-01-19
联合研发中心41家，分布江苏、上海、北京、浙江 、福建、广东、湖南、湖北、陕西、山东、辽宁、吉林、重庆等地
