超越周期性晶格的外延：基于缺陷态二维材料的界面调控
突破传统限制，新型GaN HEMT实现性能飞跃
金刚石与半导体的“联姻”：开启高功率电子设备散热新篇章
高电压GaN HEMT的创新设计与研究——解锁1200V级高压应用新突破
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联合研发中心41家，分布江苏、上海、北京、浙江 、福建、广东、湖南、湖北、陕西、山东、辽宁、吉林、重庆等地
