超越周期性晶格的外延:基于缺陷态二维材料的界面调控
突破传统限制,新型GaN HEMT实现性能飞跃
金刚石与半导体的“联姻”:开启高功率电子设备散热新篇章
高电压GaN HEMT的创新设计与研究——解锁1200V级高压应用新突破
第十九届全国MOCVD学术会议将于2026年7月27日至29日在内蒙古·呼和浩特隆重举行。【详细】
2026-06-08
新起点 新跨越 新征程 | 江苏第三代半导体研究院迎来2026年新员......
2026-07-05
大会主旨报告嘉宾阵容揭晓!第十九届全国MOCVD学术会议邀您共赴创新......
2026-07-03
【详细课程安排】2026“MOCVD暑期讲习班”最新通知
2026-06-23
研发机构创新赋能案例集 | 国家第三代半导体技术创新中心(苏州):全......
2026-06-17
解码Micro-LED“芯”视界:国家第三代半导体技术创新中心(苏州......
2026-06-11
江苏第三代半导体研究院招聘启事
2026-05-29
联合研发中心41家,分布江苏、上海、北京、浙江 、福建、广东、湖南、湖北、陕西、山东、辽宁、吉林、重庆等地